Theo thoả thuận, 3 năm đầu, mỗi công ty sẽ đầu tư khoảng 550 triệu euro để đạt công suất 20.000 wafer/tháng vào giữa năm 2004. Đến giữa năm 2006, Nanya và Infineon sẽ tăng gấp đôi các khoản đầu tư và mở rộng công suất nhà máy lên 50.000 wafer.
Các chip DRAM 300 mm sử dụng công nghệ 0,09 micron sẽ được xuất xưởng từ cuối năm 2003.
Nhà máy được đặt tại Taoyuen - phía bắc Đài Loan (gần cơ sở sản xuất hiện nay của Nanya).Minh Nghĩa (theo AFP)