Intel công bố bước đột phá về transistor

Intel vừa thiết kế các chip bộ nhớ mật độ cao, chứa 330 triệu transistor, nhiều hơn gần 8 lần so với số 42 triệu transistor trên chip Pentium 4 hiện nay. Đây là một bước tiến vượt bậc trong ngành công nghệ sản xuất chip bộ nhớ.

Các chip SRAM thử nghiệm có kích thước 109 mm2, sử dụng quy trình sản xuất 90 nanometer (0,09 micron), có thể chứa tới 52 triệu bit dữ liệu. Đây được coi là chip SRAM có mật độ lưu trữ dữ liệu lớn nhất từ trước tới nay.

Công ty cho biết bộ xử lý đầu tiên được xây dựng theo quy trình 0,09 micro là Pentium 4 có tên mã Prescott, sẽ xuất hiện trên thị trường vào cuối năm 2003.

Các chip nhanh nhất hiện nay đều được xây dựng trên quy trình 0,13 micron.

Minh Nghĩa (theo ZDNET)