Giảm tiêu hao điện năng chip 1.000 lần bằng nền 65 nm

Intel đang chuyển sang quy trình sản xuất chip tiêu thụ điện năng cực thấp cho các nền tảng di động thế hệ mới, dựa trên phương pháp xây dựng bộ xử lý Yonah, phiên bản lõi kép của chip máy tính xách tay Pentium M.

Chu trình sản xuất này mang lại cho các nhà thiết kế chip của Intel nhiều lựa chọn hơn trong việc nâng cao mật độ mạch điện, tăng cường hiệu suất hoạt động và hạn chế lượng điện tiêu thụ, những tính năng mà người sử dụng các thiết bị dùng pin đang đòi hỏi.

Mark Bohr, Giám đốc bộ phận tích hợp và kiến trúc xử lý của Intel, cho biết công nghệ 65 nm sẽ giảm đáng kể tình trạng rò rỉ năng lượng trong những thiết bị kích thước nhỏ, không đòi hỏi khả năng vận hành cao giống như máy tính hay server.

Một trong những nhân tố quan trọng giúp hạ điện năng tiêu thụ của bộ vi xử lý là cải thiện phương thức thiết kế bóng bán dẫn. Việc sử dụng những transistor tiêu thụ ít năng lượng CMOS 35 nm nhỏ nhất hiện nay cho phép Intel tăng gấp đôi số bóng bán dẫn trên thiết bị xử lý đơn nhất so với phương pháp 90 nm. Đồng thời, giải pháp này

“Với số transistor trên bộ vi xử lý vượt mức một tỷ, điểm mạnh trong từng bóng bán dẫn sẽ được nhân lên gấp bội và tạo ra lợi ích khổng lồ cho toàn bộ thiết bị”, Mark Bohr khẳng định. “Quá trình thử nghiệm đã chứng minh bộ vi xử lý trên công nghệ 65 nm của Intel có thể giảm mức độ rò rỉ điện năng của transistor xuống gần 1.000 lần so với chu trình sản xuất chuẩn hiện nay của Intel”.

P.T.