Bộ nhớ flash đầu tiên theo công nghệ 50 nm

Ảnh: Ciberia

Intel và Micron Technology đang thử nghiệm những thiết bị flash NAND 4 Gigabit (Gb) được hình thành trên dây chuyền công nghệ được cho là tiên tiến nhất hiện nay và dự kiến sẽ sản xuất đại trà vào năm 2007.

Chuyển đổi sang kỹ thuật 50 nanometer (nm), Intel và Micron sẽ đáp ứng được nhu cầu ngày càng tăng về flash NAND mật độ cao cho các ứng dụng điện toán và điện tử tiêu dùng như máy nghe nhạc, sản phẩm lưu trữ có khả năng tháo rời và những thiết bị liên lạc cầm tay. Giới chuyên môn dự báo thị trường NAND sẽ đạt 13 - 16 tỷ USD trong năm nay và tăng lên xấp xỉ 25 - 30 tỷ USD vào năm 2010.

"Micron gia nhập thị trường này cách đây 2 năm và sử dụng công nghệ 90 nm. Chỉ sau một thời gian ngắn và nhờ sự cộng tác với Intel, chúng tôi đã sẵn sàng cho ra mắt một sản phẩm dẫn đầu dựa trên phương pháp xử lý tiên tiến nhất", Brian Shirley, Phó chủ tịch phụ trách sản phẩm bộ nhớ của Micron, nói. "Micron sẽ tiếp tục quá trình chuyển đổi sang dây chuyền 50 nm và phát triển những công nghệ mới nhằm giới thiệu những sản phẩm với mật độ cao hơn nữa".

Trong khi đó, Phó chủ tịch Brian Harrison của Intel cũng tỏ ý hài lòng khi tập đoàn này đã đạt được bước phát triển nhanh chóng đến kinh ngạc trên thị trường flash NAND, hiện do Samsung dẫn đầu.

Micron là một trong những nhà cung cấp giải pháp bán dẫn hàng đầu thế giới. Hãng này đã đưa ra thị trường các sản phẩm DRAM, bộ nhớ flash NAND, chip cảm ứng ảnh CMOS... Micron và Intel chỉ mới thành lập công ty IM Flash Technologies (IMFT) chuyên sản xuất bộ nhớ NAND trong tháng 1/2006 nhưng đã nhanh chóng mở rộng các cơ sở sản xuất tại Boise, Virgina… ở Mỹ.

T.N.