SanDisk và Toshiba sản xuất bộ nhớ flash 0,09 micron

Hôm qua, hai công ty công bố sẽ hợp tác để tạo ra loại chip bộ nhớ flash dựa trên quy trình công nghệ 0,09 micron (90 nanometer), có khả năng lưu trữ với mật độ cao, đồng thời tiết kiệm được nhiều chi phí.

SanDisk (Mỹ) và Toshiba (Nhật Bản) cho biết sẽ sản xuất những sản phẩm mẫu vào quý II năm tới, và dự tính năm 2004 tung ra thị trường loại bộ nhớ flash NAND 2G-bit và 4G-bit.

Bộ nhớ flash NAND được thiết kế để có thể ghi nhanh và lưu trữ dữ liệu với công suất cao. Sản phẩm này thường được sử dụng trong các thẻ bộ nhớ Smart Media, Compact Flash và Secure Digital dành cho các thiết bị như điện thoại di động, máy ảnh kỹ thuật số.

Hiện các đối thủ của SanDisk và Toshiba ứng dụng những công nghệ tiên tiến để cho ra các chip bộ nhớ hiệu quả cao. Trong tháng 8, Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt chip bộ nhớ flash theo quy trình 0,12 micron. Năm tới, Intel công bố sẽ xuất xưởng bộ nhớ flash mang tên 3-Volt Advanced+ Boot Block, được phát triển theo quy trình sản xuất 0,13 micron.

Minh Nghĩa (theo EW)