Bộ nhớ NOR flash 1 GB cho điện thoại di động

Ảnh minh họa.

Hãng chip khổng lồ Intel vừa xuất xưởng với số lượng lớn các bộ nhớ khoang đa cấp (MLC) NOR flash 65 nanomet, trong đó có cả sản phẩm nguyên khối 1 Gigabit 65 nm đầu tiên, giúp sản xuất điện thoại đa phương tiện siêu mỏng.

Những sản phẩm này dựa trên kiến trúc StrataFlash Cellular Memory (M18) của Intel và có khả năng tương thích tốt với chip flash sử dụng công nghệ 90 nm, đảm bảo tiến trình chuyển đổi dễ dàng cho các nhà sản xuất thiết bị chính gốc (OEM).

“Hướng tới điện thoại đa phương tiện tích hợp camera độ phân giải megapixel cũng như khả năng xử lý video và dữ liệu tốc độ cao, bộ nhớ NOR MLC 1 Gb đơn chip của Intel nhân đôi khả năng lưu trữ file và cho phép thiết kế điện thoại mỏng hơn bao giờ hết”, Darin Billerbeck, Giám đốc nhóm sản phẩm flash của Intel, cho hay.

Các sản phẩm NOR MLC 65 này có tốc độ đọc lên tới 133 MHz và tốc độ ghi dữ liệu 1 MB/giây. Thời gian sử dụng pin cũng được cải thiện với mức tiêu thụ 1,8 volt và chế độ ngủ tiết kiệm điện sâu.

Dòng sản phẩm mới của Intel được phát triển trên sự hợp tác về kiến trúc bộ nhớ di động với STMicroelectronics nhằm đảm bảo cho các nhà sản xuất điện thoại di động một kiến trúc chung nhất với giao diện và cấu hình chuẩn.

T.N.