Samsung bắt đầu sản xuất đại trà DDR2 80 nm

(Earthtimes)

Quyết định sản xuất DDR2 DRAM với những cải tiến công nghệ mới là một bước đi hợp lý của hãng điện tử Hàn Quốc nhằm duy trì vị thế trên thị trường.

Quy trình chế tạo DDR2 512 MB theo công nghệ 80 nm sẽ cho phép Samsung tăng 50% sản lượng so với phương pháp 90 nm trước đó. Việc chuyển sang mức 80 nm phần lớn nhờ RCAT, bóng bán dẫn 3 chiều được thiết kế nhằm tăng tốc độ nhập lại dữ liệu (refresh).

"Đây là một bước tiến lớn, nhưng cũng là điều công ty cần phải làm nếu muốn sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường", Martin Reynolds, Phó giám đốc hãng nghiên cứu Gartner, nhận định.

"Nhu cầu cho DDR2 đang ở mức cao nhất kể từ khi xuất hiện năm 2004. Công nghệ 80 nm sẽ mang lại cho chúng tôi khả năng đáp ứng nhu cầu của thị trường DDR2 một cách hiệu quả", Tom Trill, Giám đốc Samsung DRAM, cho biết.

Ngoài ra, DDR2 80 nm cho phép Samsung sản xuất bộ nhớ DRAM với chi phí thấp hơn. Gartner dự đoán bộ nhớ DDR2 sẽ chiếm 50% toàn bộ thị trường DRAM trong năm 2006.

T.N. (theo ECT)